SRAM과 DRAM의 차이점

주요 차이점 : SRAM (정적 RAM)과 DRAM (동적 RAM)은 RAM (Random Access Memory)의 두 가지 유형입니다. 그것들은 속도, 용량 등과 같은 많은 맥락에서 서로 다르다. 이러한 차이는 데이터를 저장하는 데 사용되는 기술의 차이로 인해 발생한다. DRAM은 각 메모리 셀에 단일 트랜지스터 및 커패시터를 사용하는 반면 SRAM의 각 메모리 셀은 6 개의 트랜지스터 어레이를 사용합니다. DRAM은 리프레시가 필요하지만, SRAM은 메모리 셀을 리프레시 할 필요가 없다. 둘 다 전원이 공급 될 때까지 데이터를 보유합니다.

반도체 메모리는 휘발성 및 비 휘발성 메모리로 분류 할 수 있습니다. 휘발성 메모리의 임의 메모리 (RAM)는 SRAM과 DRAM의 두 가지 유형입니다. RAM은 개별 메모리 위치가 주소로 직접 액세스됨을 의미합니다. SRAM은 정적 랜덤 액세스 메모리 (static random access memory)를 나타내며, DRAM은 동적 랜덤 액세스 메모리 (dynamic random access memory)를 나타냅니다.

이러한 메모리는 RAM (Random Access Memory)이며 휘발성이므로 장기간 보관하지 못합니다. RAM은 컴퓨터 내의 작업 메모리 저장 영역이라고도합니다. 전원이 제거되면 SRAM과 DRAM은 모두 데이터를 잃게됩니다. 그러나 DRAM은 주기적으로 새로 고쳐야합니다.

이 둘의 주요 차이점은 데이터 보관에 사용되는 기술입니다. 이 키 차이로 인해 다른 차이점도 발생합니다. SRAM은 데이터 (트랜지스터 회로)를 저장하기 위해 래치를 사용하는 반면, DRAM은 전하 형태로 비트를 저장하는 커패시터를 사용합니다. SRAM은 일반 고속 CMOS 기술을 사용하여 건설하는 반면, DRAM은 최적화 된 고밀도를 달성하기 위해 특수 DRAM 프로세스를 사용합니다. 동적 RAM은 SRAM에 비해 내부 구조가 간단합니다.

SRAM은 DRAM에 비해 빠릅니다. 그러나 DRAM은 비트 당 더 작고 저렴합니다. SRAM의 사이클 시간은 DRAM의 사이클 시간보다 크며 DRAM은 SRAM보다 많은 용량을 갖습니다. DRAM은 주 메모리로 사용되는 반면 온칩 캐시는 일반적으로 SRAM입니다.

SRAM은 주로 다음 두 가지 주요 요구 사항을 충족하기 위해 설계되었습니다. 1. DRAM에서 구현할 수없는 속도로 CPU와 직접 인터페이스를 제공합니다. 2. 저전력 소모가 필요한 시스템에서 DRAM을 대체합니다.

SRAM (정적 랜덤 액세스 메모리)과 DRAM (동적 랜덤 액세스 메모리)의 비교 :

SRAM

적은 양

정의

그것은 일종의 RAM입니다. SRAM은 기본적으로 래치를 사용하여 전하를 저장합니다.

또한 RAM 유형입니다. DRAM은 전하 형태로 비트를 저장하기 위해 커패시터를 사용합니다.

속도

빨리

천천히

크기

더 작은

비용

비트 당 더 비쌉니다.

비트 당 비용이 저렴합니다.

주변 회로의 요구 사항

비교적 적은

비교적 많은

유형

비교적 적은 공통점

비교적 일반적

용량 (동일한 기술)

적게

SRAM보다 5 ~ 10 배 더

응용 프로그램

일반적으로 CPU 캐시 메모리 및 하드 드라이브 버퍼와 같은 소규모 응용 프로그램

일반적으로 개인용 컴퓨터의 메인 메모리로 사용됩니다.

유형

비동기 SRAM

동기식 SRAM

파이프 라인 버스트 SRAM

고속 페이지 모드 DRAM

확장 데이터 출력 DRAM

버스트 EDO DRSSM

동기식 DRAM

접속하다

쉬운

더 단단한

구성

어려운

단순한

전력 소비

적게

밀도

칩 당 저밀도 / 적은 메모리

고밀도 / 칩 당 더 많은 메모리

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